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Mission nationale de sauvegarde du patrimoine scientifique et technique contemporain
OBJETS
IGBT
Fiche N°3426| Période de fabrication : 2000-2024 | Fabricant : Semikron | |
| Domaines : Physique | Sous-domaines : Electrotechnique | |
| Organisme : Université de Nantes - Institut universitaire de technologie (IUT) | Ville : Nantes | |
| Modèle : | Matériaux : Plastique |
Description
Cet IGBT, de l'anglais Insulated Gate Bipolar Transistor est un transistor bipolaire à grille isolée. Il est de la marque SEMIKRON.
Il se présente sous la forme d'une plaque en plastique blanc percée de trous servant de connectiques électriques.
Un IGBT est un composant électronique contenant un transistor à effet de champ et un transistor bipolaire. Le transistor à effet de champ est du type MOSFET. Cet IGBT possède une grille, un collecteur et un émetteur. La tension maximale du collecteur est de 1200 V.
Ce semi-conducteur est utilisé comme interrupteur dans les montages en électronique de puissance.
Utilisation
Ce composant est conservé par l'Institut Universitaire de Technologie de l'Université de Nantes.
Cet élément est un don de la SEMITAN, société gestionnaire du réseau de transport en commun de la ville de Nantes. Il a servi à contrôler les circuits du moteur des rames de tramway. Au sein de l'IUT, cet élément est utilisé en démonstration auprès des étudiants du département Génie électrique (GEII).
Breveté en 1982, la technologie IGBT est connue sous le nom de Power MOSFET.
Base de la Mission nationale de sauvegarde et de valorisation du patrimoine scientifique et technique contemporain, PATSTEC, IGBT (Semikron), https://www.patstec.fr/ressources/objets/detail?id=4106, consulté le 2026-07-24
