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Mission nationale de sauvegarde du patrimoine scientifique et technique contemporain
OBJETS
Lot de transistors bipolaires silicium
Fiche N°3430| Période de fabrication : 2000-2024 | Fabricant : Inconnu | |
| Domaines : Physique | Sous-domaines : Electrotechnique | |
| Organisme : Université de Nantes - Institut universitaire de technologie (IUT) | Ville : Nantes | |
| Modèle : | Matériaux : Métal |
Description
Ce lot est composé de transistors bipolaires au silicium.
Les transistors bipolaire possèdent deux jonctions PN, c'est-à-dire une zone où le dopage varie brusquement passant d'un dopage p à un dopage n. La première jonction est directe, la seconde en inverse. L'utilisation de ces deux jonctions permet d'amplifier le courant, c'est l'effet transistor.
Le dopage est une introduction de petites impuretés dans un matériau. Cette introduction produit un excès ou un déficit d'électrons. Lorsque des semi-conducteurs, dopés différemment, sont mis en contact, une jonction est créée. Cette jonction permet de contrôler la direction et la quantité du courant.
Utilisation
Ces composants sont conservés par l'Institut Universitaire de Technologie. Ces éléments sont utilisés par les étudiants du département Génie électrique (GEII) de l'IUT dans le cadre de cours de conception de systèmes électriques en bureau d'étude.
Ces transistors étaient utilisés dans des circuits électroniques.
L'utilisation de silicium, élément chimique moins sensible à la température que le germanium, permet de diminuer la taille des transistors.
Base de la Mission nationale de sauvegarde et de valorisation du patrimoine scientifique et technique contemporain, PATSTEC, Lot de transistors bipolaires silicium (Inconnu), https://www.patstec.fr/ressources/objets/detail?id=4110, consulté le 2026-07-24
